西安：到2027年光伏產(chǎn)業(yè)鏈規(guī)模達(dá)到2100億元

6．推動(dòng)新產(chǎn)品新技術(shù)試樣鼓勵(lì)光伏“鏈主”企業(yè)向配套企業(yè)提供光伏熱場材料、光伏銀漿、超細(xì)金剛石線、鈣鈦礦電池材料等應(yīng)用場景和試驗(yàn)環(huán)境，為配套企業(yè)提供產(chǎn)品驗(yàn)證、試樣場景，推動(dòng)新產(chǎn)品、新技術(shù)迭代升級 7．加大招引配套企業(yè)制定產(chǎn)業(yè)鏈招商圖譜和招商目標(biāo)企業(yè)清單，招引硅片環(huán)節(jié)金剛線，電池環(huán)節(jié)漿料、網(wǎng)板，組件環(huán)節(jié)焊帶、背板，逆變器環(huán)節(jié)IGBT、MOSFET等配套企業(yè)到2027年，招引企業(yè)新增產(chǎn)值100億元。

政策動(dòng)態(tài)

意法半導(dǎo)體與理想汽車簽署碳化硅長期供貨協(xié)議

12月22日，意法半導(dǎo)體官微宣布，該公司與理想汽車簽署了一項(xiàng)碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議按照協(xié)議，意法半導(dǎo)體將為理想汽車提供碳化硅MOSFET，支持理想汽車進(jìn)軍高壓純電動(dòng)車市場的戰(zhàn)略部署據(jù)介紹，理想汽車即將推出的800V高壓純電平臺(tái)將在電驅(qū)逆變器中采用意法半導(dǎo)體的第三代1200V SiC MOSFET技術(shù)

汽車

[特種氣體]：氧化鎵商業(yè)化腳步臨近，或?qū)⑴c碳化硅直接競爭

雖然氧化鎵應(yīng)用前景已經(jīng)被多領(lǐng)域廣泛看好，但未來氧化鎵材料需要在高質(zhì)量、低缺陷、大尺寸單晶方面的生產(chǎn)技術(shù)進(jìn)行突破，并在電子器件的商業(yè)化、大規(guī)模應(yīng)用上發(fā)力 此外，導(dǎo)熱性能較差也是氧化鎵材料的短板因此，許多單位開展將轉(zhuǎn)移晶圓級氧化鎵薄膜于高導(dǎo)熱襯底的研究，如轉(zhuǎn)移到高導(dǎo)熱率碳化硅和碳基襯底上異質(zhì)集成制備氧化鎵MOSFET器件，近日也出現(xiàn)了將氧化鎵與金剛石進(jìn)行鍵合的消息美國弗吉尼亞理工大學(xué)通過雙面銀燒結(jié)的封裝方式解決散熱問題，能夠?qū)ё咝ぬ鼗Y(jié)處產(chǎn)生的熱量，在結(jié)處的熱阻為0.5K/W，底處1.43，瞬態(tài)時(shí)可以通過高達(dá)70A的浪涌電流。

下游動(dòng)態(tài)

三安光電：車企用碳化硅產(chǎn)品尚在驗(yàn)證階段

上市公司三安光電旗下湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司碳化硅應(yīng)用專家施洪亮博士表示，目前公司第二代碳化硅MOSFET（金屬氧化物場效應(yīng)管）處于車企驗(yàn)證階段，三代產(chǎn)品預(yù)計(jì)2025年推出。

聚焦

金剛石，將在功率市場大放異彩

隨著硅接近其物理極限，半導(dǎo)體行業(yè)正在探索寬帶隙 (WBG) 材料，尤其是碳化硅 (SiC)、氮化鎵 (GaN) 以及更進(jìn)一步的金剛石 特斯拉于 2018 年啟動(dòng) SiC 功率器件市場，成為第一家在其 Model 3 中使用 SiC MOSFET 的汽車制造商 多年來，特斯拉一直是 SiC 市場增長的主要貢獻(xiàn)者但在特斯拉宣布其下一代動(dòng)力總成將使用永磁電機(jī)后，該行業(yè)陷入了恐慌，這將減少 75% 的 SiC 使用。

熱點(diǎn)資訊

汽車用功率半導(dǎo)體峰會(huì)5月底在杭州舉辦

目前全球功率半導(dǎo)體缺貨漲價(jià)現(xiàn)象仍未改善，中國功率半導(dǎo)體企業(yè)有望把握機(jī)遇，加速推進(jìn)國產(chǎn)替代，市場份額快速提升 本次會(huì)議議題包括：在新能源汽車大規(guī)模量產(chǎn)之際，如何實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體的自主可控，如何進(jìn)行提前布局等；未來碳化硅功率半導(dǎo)體有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導(dǎo)體，在新能源汽車領(lǐng)域得到應(yīng)用，碳化硅功率器件國產(chǎn)化路徑；車規(guī)級IGBT是賦能汽車的半導(dǎo)體賽道等，國產(chǎn)IGBT的規(guī)模化應(yīng)用及可靠性等。

會(huì)展信息

車用功率半導(dǎo)體峰會(huì)5月底在杭州舉辦

Strategy Analytics預(yù)測，功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比，將從傳統(tǒng)燃油車的 21%提升至純電動(dòng)車的 55%，躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件目前功率半導(dǎo)體市場主要被海外大廠占據(jù)，中國企業(yè)起步較晚，高端產(chǎn)品自給率仍然較低，國產(chǎn)替代空間較大目前全球功率半導(dǎo)體缺貨漲價(jià)現(xiàn)象仍未改善，中國功率半導(dǎo)體企業(yè)有望把握機(jī)遇，加速推進(jìn)國產(chǎn)替代，市場份額快速提升 本次會(huì)議議題包括：在新能源汽車大規(guī)模量產(chǎn)之際，如何實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體的自主可控，如何進(jìn)行提前布局等；未來碳化硅功率半導(dǎo)體有望逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導(dǎo)體，在新能源汽車領(lǐng)域得到應(yīng)用，SiC功率器件國產(chǎn)化路徑；車規(guī)級IGBT是賦能汽車的半導(dǎo)體賽道等，國產(chǎn)IGBT的規(guī)?；瘧?yīng)用及可靠性等。

聚焦

特斯拉減用碳化硅，是“王炸”還是“虛驚”

自2018年起，特斯拉、比亞迪、蔚來等車企紛紛開始用碳化硅功率器件部分替代IGBT 鯨平臺(tái)智庫專家、大菲資本董事總經(jīng)理張力向《科創(chuàng)板日報(bào)》記者表示，“碳化硅的主要邏輯是作為碳化硅MOSFET替代IGBT，過去因?yàn)?em class='keyword'>硅材料的性質(zhì)，在高鐵、電網(wǎng)、風(fēng)電等超高壓領(lǐng)域，以及新能源汽車逆變器這些中高壓領(lǐng)域，只能用IGBT但現(xiàn)在碳化硅MOSFET不僅能用、而且好用” “等碳化硅在汽車領(lǐng)域進(jìn)行快速迭代后，還有光伏、風(fēng)電等更大的市場。

汽車

長城汽車發(fā)力第三代半導(dǎo)體，重要項(xiàng)目在無錫動(dòng)工

據(jù)相關(guān)分析數(shù)據(jù)顯示，從燃油車到純電動(dòng)汽車，單車半導(dǎo)體價(jià)值量將從457美元提升至834美元，單車價(jià)值量增長最大的排序依次為：功率半導(dǎo)體>傳感器>MCU（主控）其中功率半導(dǎo)體的單車價(jià)值量，從燃油車到新能源汽車有望實(shí)現(xiàn)數(shù)倍增長，達(dá)到約450美元 從功率器件種類來看，目前新能源汽車功率半導(dǎo)體以硅基的IGBT、MOSFET為主，但由于以SiC、GaN等為代表的第三代半導(dǎo)體材料在高壓的系統(tǒng)中有更好的性能體現(xiàn)，相比硅基器件具有耐高壓、耐高溫、功耗低、體積小、重量輕等顯著優(yōu)勢，被普遍認(rèn)為將逐步替代部分IGBT、MOSFET等硅基功率半導(dǎo)體,在新能源汽車領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

產(chǎn)業(yè)資訊

[特種氣體]：功率半導(dǎo)體，不相信下行周期

同時(shí)還存在無序競爭嚴(yán)重的問題 近年來，第三代半導(dǎo)體在多個(gè)領(lǐng)域嶄露頭角以碳化硅、氮化鎵為主的第三代化合物半導(dǎo)體已然成為產(chǎn)業(yè)端和投資界的寵兒 綜合來看，各類型的半導(dǎo)體有其適合應(yīng)用之處，未來不論是硅基的IGBT、MOSFET或是以SiC為基底的IGBT、MOSFET，都會(huì)根據(jù)所需效能及材料特性，找到適合的應(yīng)用場域 從全球擴(kuò)產(chǎn)情況來看，國外供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目以12英寸功率半導(dǎo)體產(chǎn)線，以及6英寸、8英寸碳化硅產(chǎn)線為主。

下游動(dòng)態(tài)

揚(yáng)杰科技投建，總投資10億元的半導(dǎo)體材料項(xiàng)目即將投產(chǎn)

揚(yáng)杰科技是國內(nèi)少數(shù)集半導(dǎo)體分立器件芯片設(shè)計(jì)制造、器件封裝測試、終端銷售與服務(wù)等產(chǎn)業(yè)鏈垂直一體化（IDM）的供應(yīng)商，主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、MOSFET、IGBT 及碳化硅 JBS、大功率模塊、小信號二三極管、功率二極管、整流橋等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域 20219年9月，揚(yáng)杰科技與四川雅安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)簽署《項(xiàng)目投資協(xié)議書》，擬在雅安經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)投資建設(shè)半導(dǎo)體單晶材料擴(kuò)能項(xiàng)目。

電子/半導(dǎo)體

[特種氣體]：碳化硅時(shí)代來臨，各大供應(yīng)商怎么看

Dogmus 說：“硅 MOSFET 經(jīng)歷了漸進(jìn)式增長和數(shù)十年的改進(jìn)，已經(jīng)接近其理論邊界從歷史上看，這些 MOSFET 產(chǎn)品已足以滿足其目標(biāo)應(yīng)用的需求 與此同時(shí)，碳化硅和氮化鎵等創(chuàng)新寬禁帶材料表現(xiàn)出的性能特性超過了硅基器件”Dogmus 說“憑借高擊穿電壓、高開關(guān)速度和小尺寸，寬禁帶材料是補(bǔ)充電力市場行業(yè)的最有前途的候選材料。

下游動(dòng)態(tài)

[特種氣體]：“雙碳”目標(biāo)下三代半導(dǎo)體的發(fā)展分析

SiC的MOSFET器件將隔離區(qū)做的更薄，導(dǎo)通阻值小，從而減小了能量損耗 在二級管中，以硅做成的肖特基構(gòu)造電壓可以達(dá)到250 V，而碳化硅的則可達(dá)到4 000 V；晶體管中，硅的MOSFET常規(guī)來說可以做到900~1 500 V，但特性不好，而SiC的器件的電壓可達(dá)3 300 V600 V以上耐壓功率元器件，硅器件中以PN(FRD)、IGBT為代表，其耐壓性、補(bǔ)充導(dǎo)通阻抗可以調(diào)節(jié)傳導(dǎo)率、因載流子少數(shù)積蓄使得恢復(fù)變慢；硅器件中以MOSFET為例，SJRON稍微改善、耐壓可達(dá)900 V、高速但阻抗大、恢復(fù)快；而SiC器件（如SBD、MOSFET）具有高耐壓性、外延層導(dǎo)通阻抗小、SW損耗急劇降低的特點(diǎn)。

下游動(dòng)態(tài)

“智能汽車”成半導(dǎo)體行業(yè)新增長極 華微電子加速國產(chǎn)化

近幾年，白色家電用的IGBT、MOSFET和可控硅產(chǎn)品，華微電子在國內(nèi)功率半導(dǎo)體行業(yè)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)了進(jìn)口品牌的替代，成為海爾、海信、美的等品牌產(chǎn)品的優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商 隨著國內(nèi)疫情緩解以及政策刺激，新能源車銷量連續(xù)走高，去年12月單月銷量超過20萬輛2020年新能源乘用車?yán)塾?jì)銷量111.5萬輛，同比增長5.16%2021年新能源汽車?yán)塾?jì)銷量預(yù)計(jì)將達(dá)到200萬輛，同比增長46.3%而在國家政策的支持下，2025年國內(nèi)新能源汽車銷量有望達(dá)到600萬輛。

汽車